Ziehen von Einkristallen (Czochralski-Verfahren - CZ)
Dieses Kristallierungsverfahren für Silizium bei über 1.425 °C dient zur Herstellung großer zylindrischer Einkristallbarren (Ingots) und erfordert eine hochpräzise Steuerung des Temperaturgradienten im Ofen. Diese Siliziumbarren werden dann mit einer Drahtsäge in Scheiben („Wafer“) geschnitten und in der Mikroelektronik- und Photovoltaikindustrie weiterverarbeitet.
Mersen liefert folgende Elemente:
- Schmelztiegel aus gereinigtem Graphit
- Heizelemente aus gereinigtem Graphit
- Steife Isolationsplatte für die Heißzone
- Hitzeschilde aus Graphit und Kohlefaserverbundstoff
- Ofenisolation