Herstellungsprozesse für Siliziumwafer

Dieses Kristallierungsverfahren für Silizium bei über 1.425 °C dient zur Herstellung großer zylindrischer Einkristallbarren (Ingots) und erfordert eine hochpräzise Steuerung des Temperaturgradienten im Ofen. Diese Siliziumbarren werden dann mit einer Drahtsäge in Scheiben („Wafer“) geschnitten und in der Mikroelektronik- und Photovoltaikindustrie weiterverarbeitet.

Mersen liefert folgende Elemente:

• Schmelztiegel aus gereinigtem Graphit
• Heizelemente aus gereinigtem Graphit
• Steife Isolationsplatte für die Heißzone
• Hitzeschilde aus Graphit und Kohlefaserverbundstoff
• Ofenisolation

Die Kühlung des Siliziumschmelzebads wird so gesteuert, dass die Erstarrung des Siliziumbarrens innerhalb eines sehr breiten Kristallisationsbereichs erfolgt.

Diese Siliziumbarren werden dann mit einer Drahtsäge in Scheiben („Wafer“) geschnitten und vorrangig in der Mikroelektronik- und Photovoltaikindustrie weiterverarbeitet.

Mersen liefert folgende Elemente:

• Heizelemente aus gereinigtem Graphit
• Steife Isolationsplatte aus Kohlefaserverbundstoff für die Heißzone
• Befestigungselemente aus Verbundstoff
• Platten aus Verbundstoff
• Graphitwärmetauscher